当前位置:首页 > 标准 > 其他标准 > 内容详情

IEC 63229:2021 半导体器件 - 碳化硅衬底上氮化镓外延膜的缺陷分类

信息:标准分类为IEC,下载格式PDF。
免费下载
举报
简介

半导体器件 - 碳化硅衬底上氮化镓外延膜的缺陷分类 (IEC 63229:2021) Semiconductor devices - Classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate 标准发布组织为IEC,国际组织机构所属TC 47。

IEC63229:2021标准适用于电子电气设备中使用的金属化薄膜电容器,规定了这些电容器的性能要求、测试方法以及安全标准,以确保其在各种应用中的可靠性和一致性。该标准涵盖了电容器的电气特性、机械特性、环境适应性以及耐久性测试,适用于制造商、测试机构和终端用户,用于评估和确保金属化薄膜电容器的质量和性能符合国际认可的技术规范。

声明:本站为网络服务提供者及网络索引服务平台资源索引自网络/用户分享,如有版权问题,请联系我们删除。

不能下载?报告错误