PN结的掺杂浓度对耗尽层宽度、内建电场和内建电势有显著影响。当PN结的掺杂浓度增加时，耗尽层宽度会减小，这是因为高浓度的掺杂导致更多的载流子参与空间电荷区的形成，从而在更短的距离内达到电荷平衡。同时，内建电场会增强，因为更高的掺杂浓度导致更大的空间电荷密度，电场强度随之增大。内建电势也会因掺杂浓度的增加而略有上升，这是由于费米能级的变化导致更大的接触电势差。这些特性在半导体器件的设计和分析中至关重要，直接影响器件的电学性能。