氧化硅RIE刻蚀工艺研究简介氧化硅（SiO₂）作为半导体制造中的关键材料，广泛应用于绝缘层、掩膜和钝化层等工艺中。反应离子刻蚀（RIE）因其高方向性、可控性好和刻蚀速率适中等优点，成为氧化硅图形化加工的重要技术手段。本研究围绕氧化硅RIE刻蚀工艺展开，系统探究气体组分（如CF₄、CHF₃、Ar等）、射频功率、腔室压力、偏置电压等参数对刻蚀速率、选择比、各向异性及表面形貌的影响规律，并分析等离子体化学反应的机理。通过优化工艺条件，旨在实现高精度、低损伤的氧化硅刻蚀，为集成电路、MEMS和光电器件等领域的微纳加工提供可靠的技术支持。