变容二极管是一种特殊的半导体器件，其电容值会随着外加反向偏置电压的变化而改变。这种特性使其广泛应用于调谐电路、频率调制、压控振荡器等电子电路中。以下是常见变容二极管的主要参数简介：1.电容范围（Cj）：指变容二极管在特定反向电压下的电容值范围，通常以皮法（pF）为单位。不同型号的变容二极管电容范围差异较大。2.电容比（Cr）：指最大电容值与最小电容值的比率，反映变容二极管的调谐能力。比值越大，调谐范围越宽。3.反向电压范围（VR）：指可以施加在变容二极管上的最大反向偏置电压值，超过此值可能损坏器件。4.品质因数（Q值）：反映变容二极管的能量损耗特性，Q值越高，损耗越小，性能越好。5.串联电阻（Rs）：指变容二极管的等效串联电阻，影响器件的高频性能。6.温度系数：反映电容值随温度变化的特性，是衡量器件温度稳定性的重要指标。7.击穿电压（VBR）：指变容二极管发生击穿时的电压值。这些参数直接影响变容二极管在实际电路中的应用效果，选择时需要根据具体电路要求综合考虑各项参数。
