半导体器件 - 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 - 第1部分：MOSFET快速BTI测试 (IEC 62373-1:2020) Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET 标准发布组织为IEC，国际组织机构所属TC 47。
IEC62373-1:2020标准适用于评估金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在偏置温度不稳定性（BTI）条件下的可靠性测试方法。该标准主要针对功率MOSFET和集成电路中的MOSFET器件，规定了在高温和电压应力条件下进行长期可靠性测试的具体要求和程序。它适用于半导体器件制造商、测试实验室以及相关研究机构，用于评估MOSFET器件在持续工作条件下的性能退化特性，为器件可靠性验证提供标准化测试依据。