IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点。**结构**：IGBT由四层半导体材料（P-N-P-N）组成，包含栅极（G）、集电极（C）和发射极（E）。其核心结构类似于MOSFET的栅极控制，但增加了BJT的导电特性，通过栅极电压控制导通与关断。**工作原理**：当栅极施加正电压时，MOSFET部分形成导电沟道，使BJT部分导通，允许大电流通过。关断时，栅极电压移除，导电沟道消失，电流迅速截止。IGBT兼具MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适合高电压、大电流应用，如变频器、电机驱动和电源转换等领域。
