IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性。IGBT的芯片结构主要包括栅极、发射极和集电极，其核心由多个重复单元组成，每个单元包含P+区、N-漂移区、P基区和N+发射区等结构层。在正常工作状态下，IGBT通过栅极电压控制导通与关断，实现高效的电能转换。然而，IGBT在实际应用中可能面临多种失效模式，主要包括热失效、电应力失效和封装失效等。热失效通常由局部过热或热循环引起，可能导致芯片烧毁或键合线脱落；电应力失效包括过电压击穿、过电流损坏和静电放电等；封装失效则涉及材料老化、湿气渗透等问题。这些失效模式会严重影响IGBT的可靠性和使用寿命，因此对其失效机理的深入研究对提高器件性能和优化设计具有重要意义。通过分析IGBT的结构特点和失效原因，可以为故障预防、寿命预测以及可靠性提升提供理论依据。