晶圆减薄是一种半导体制造工艺，用于减小晶圆的厚度以满足特定器件或封装的要求。减薄过程通常在晶圆背面进行，通过机械研磨、化学机械抛光（CMP）、湿法或干法蚀刻等方法去除多余材料。机械研磨使用金刚石砂轮快速去除大量材料，但可能引入表面损伤；CMP结合机械和化学作用，提供更光滑的表面；蚀刻技术则通过化学或等离子体反应实现精确减薄。减薄后的晶圆可能需要进行应力释放和表面处理以提高机械强度和器件性能。这一工艺广泛应用于3D封装、MEMS器件和功率半导体等领域，对器件性能和可靠性有重要影响。