器件snapback现象是指在某些半导体器件（如MOSFET、BJT等）中，当电压或电流超过特定临界值时，器件会突然进入一种低阻抗状态，导致电压骤降而电流急剧增加的现象。这种现象通常与器件的寄生双极晶体管效应或热载流子效应有关，可能引发器件损坏或电路失效。snapback特性在ESD保护设计中具有重要作用，但需要合理控制以避免意外触发。