沟道效应是指在半导体器件中，载流子（电子或空穴）在电场作用下沿着特定路径（称为沟道）移动的现象。这一效应常见于场效应晶体管（FET）等器件中，当栅极施加电压时，会在半导体表面形成导电沟道，从而控制源极和漏极之间的电流。沟道效应的研究和优化对提高半导体器件的性能和能效至关重要，广泛应用于集成电路和微电子技术中。