自旋霍尔效应是一种重要的自旋输运现象，指的是在存在自旋-轨道耦合的材料中，当施加一个纵向电场时，横向会产生自旋流，从而导致自旋在材料边缘积累的现象。这一效应不依赖于外磁场，完全由材料内部的自旋-轨道耦合作用驱动。自旋霍尔效应的发现为自旋电子学的发展提供了新的思路，使得人们可以在不施加磁场的情况下操控自旋，为低能耗自旋器件的设计开辟了新途径。自旋霍尔效应包括内禀机制和外禀机制两种，前者源于能带结构，后者则与杂质散射有关。该效应在自旋电流的产生、检测以及自旋逻辑器件等方面具有潜在的应用价值。