碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 (T/CASAS 026-2023) 团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人：杨祥龙、崔潆心、彭燕、徐现刚、来玲玲、于国建、冯淦、丁雄杰、秋琪、林云昊、赵海明、钮应喜、金向军、徐瑞鹏
起草单位：山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
内容简要 本文件描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。本文件适用于少数载流子寿命为20ns～200μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价。