IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）的优点。它具有高输入阻抗、低导通压降、高开关速度以及较强的电流处理能力，广泛应用于电力电子领域，如变频器、逆变器、开关电源、电动汽车驱动系统以及工业电机控制等场景。IGBT通过栅极电压控制导通与关断，能高效地实现高电压、大电流条件下的电能转换与控制，是现代能源转换和电力控制系统的核心元件之一。