IGBT管（绝缘栅双极型晶体管）是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降优点。它广泛应用于电力电子领域，如变频器、逆变器、开关电源等场合，具有开关速度快、损耗低、耐压高等特点。IGBT模块是将IGBT芯片、驱动电路、保护电路等集成在一起的功率模块。相比单管IGBT，模块化设计简化了外部电路连接，提高了系统可靠性，同时便于散热设计。常见的封装形式有半桥、全桥、三相桥等，适用于中大功率应用场景，如工业变频、新能源发电、电动汽车驱动等。IGBT模块的关键参数包括电压等级、电流容量、开关频率、热阻等，选用时需根据具体应用需求进行匹配。随着技术进步，新一代IGBT模块在功率密度、温度特性等方面持续优化，推动着电力电子设备向高效化、小型化方向发展。