IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）特性的复合型功率半导体器件。它广泛应用于高电压、大电流的电力电子系统中，如变频器、逆变器和开关电源等。IGBT的结构主要由四层半导体材料（P-N-P-N）组成，包含栅极（G）、集电极（C）和发射极（E）。其工作原理基于MOSFET的栅极电压控制和BJT的双极电流传导机制。在IGBT的开通过程中，当栅极施加正向电压（超过阈值电压）时，MOSFET部分形成导电沟道，使得电子从发射极流向集电极。同时，空穴从P+注入层进入N-漂移区，形成电导调制效应，降低导通电阻，从而实现低导通损耗的高效开关。IGBT的关断过程则通过降低栅极电压，使MOSFET沟道消失，同时由于N-漂移区存储的载流子需要复合，因此关断时间稍长于MOSFET，但仍能实现较高的开关速度。由于其高输入阻抗、低导通压降和良好的开关特性，IGBT在现代电力电子系统中占据重要地位。
