纳米材料的晶格畸变与反常过剩电阻是当前凝聚态物理和材料科学研究中的重要课题。由于纳米材料具有独特的尺寸效应和表面效应，其晶格结构往往会发生显著畸变，如晶格常数变化、晶面间距改变以及局部应变等。这些畸变会显著影响材料的电子结构和输运性质，进而导致电阻率出现反常变化，即所谓的反常过剩电阻现象。深入研究这一现象不仅有助于理解纳米尺度下电子-声子相互作用、缺陷散射等基本物理机制，还能为设计高性能纳米电子器件提供理论指导。目前，该领域的研究主要集中在畸变类型与电阻率变化的关联性、温度与尺寸依赖关系以及微观机理建模等方面。