场效应管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，广泛应用于放大、开关和阻抗变换等电路中。与双极型晶体管（BJT）不同，场效应管是电压控制型器件，具有输入阻抗高、噪声低、功耗小等特点。场效应管主要分为两大类：1.结型场效应管（JFET）：通过PN结的反偏电压控制沟道导电能力。2.绝缘栅型场效应管（MOSFET）：利用金属-氧化物-半导体结构形成的栅极电压控制沟道。MOSFET又分为增强型和耗尽型。场效应管有三个电极：-栅极（G）：控制沟道导通-漏极（D）：电流输出端-源极（S）：电流输入端场效应管的主要参数包括：-跨导（gm）-夹断电压（Vp）或开启电压（Vth）-漏源击穿电压（BVDS）-最大耗散功率（PD）场效应管因其高输入阻抗、低噪声等特性，特别适用于高频电路、放大电路和数字集成电路中。
