《CMOS模拟设计使用的所有区域的MOSFET模型》是一本专注于CMOS模拟集成电路设计的专业书籍。本书详细介绍了基于所有区域（包括弱反型、中反型和强反型）MOSFET模型的模拟设计方法，为工程师和研究人员提供了全面的理论指导和实践工具。书中系统阐述了MOSFET在不同工作区域的行为特性，并展示了如何将这些模型应用于实际模拟电路设计中。内容涵盖从基础器件物理到高级电路设计的完整知识体系，特别强调了模型精度与设计效率的平衡。本书适合集成电路设计工程师、研究生以及相关领域的研究人员阅读，旨在帮助读者深入理解MOSFET的工作机理，并掌握基于物理的精确设计方法，从而提升模拟电路设计的性能和可靠性。通过结合理论分析与实际案例，本书为读者提供了在现代CMOS工艺节点下进行高性能模拟设计的实用指南。