本研究聚焦于透明导电氧化物（TCO）薄膜的制备工艺，并探讨其对钙钛矿/晶硅叠层（HAC）电池性能的影响。TCO薄膜作为HAC电池的关键电极层，需兼具高透光率与优良导电性，以保障光子吸收与载流子传输效率。研究采用磁控溅射法制备铟掺杂氧化锡（ITO）薄膜，重点优化沉积温度、氧气分压及退火条件。实验表明，在150℃基片温度下制备的ITO薄膜，透过率超过85%，电阻率低至2.1×10⁻⁴Ω·cm。将其作为中间连接层应用于HAC电池后，电池开路电压提升至1.85V，填充因子达80.2%，光电转换效率较传统结构提高约12%。分析发现，优化TCO薄膜的结晶取向与表面平整度有助于减少界面复合与串联电阻，从而显著改善器件性能。该研究为高效HAC电池中TCO层的设计与应用提供了实验基础与理论参考。