径向p-n结是一种将p型和n型半导体材料沿径向方向排列的结构，常用于提高黑硅太阳能电池的性能。黑硅通过表面纳米结构（如纳米线或纳米孔）显著降低光反射，增强光吸收。径向p-n结在这一结构基础上，将结区域设计为沿纳米结构径向延伸，从而减少光生载流子的扩散距离，提高收集效率。这种设计有效抑制了表面复合，并增强了短波长光的响应。研究表明，径向p-n结黑硅太阳能电池在宽光谱范围内具有较高的量子效率，尤其在低角度入射光下表现优异。此外，它采用低温工艺制备，成本较低，适合大规模生产。总体而言，径向p-n结技术为提升黑硅太阳能电池的效率提供了有效途径，潜在应用包括便携式电子设备和光伏建筑一体化。