原子层沉积（ALD）氧化铝时，常用氧化剂包括水（H₂O）、臭氧（O₃）和氧等离子体（O₂plasma）。不同氧化剂影响薄膜性能：-**水（H₂O）**：反应温和，薄膜致密，杂质（如碳）低，但低温下生长速率慢，表面粗糙度稍高。-**臭氧（O₃）**：氧化性强，可在较低温度实现高质量薄膜，碳含量低，但易引入残留羟基，薄膜密度略低于水基。-**氧等离子体**：低温活性高，生长速率快，薄膜纯度高、密度大，但可能对基底造成离子损伤，且设备成本较高。总体上，水基ALD适合要求低杂质和均匀性的场景；臭氧兼顾低温与质量；氧等离子体适合对温度敏感器件。选择取决于工艺温度、基底耐受性及薄膜纯度需求。