双面TOPCon（隧穿氧化层钝化接触）结构通过在硅片表面依次沉积超薄氧化硅层和掺杂多晶硅层，实现优异的表面钝化和载流子选择性传输。其钝化机理主要基于两方面：超薄氧化硅层（约1.5nm）有效化学钝化硅表面悬挂键，降低界面缺陷密度；同时，氧化硅的能带结构形成隧穿势垒，阻挡少数载流子复合，而多数载流子通过量子隧穿效应高效通过。掺杂多晶硅层则提供场效应钝化，并形成选择性接触，进一步减少复合。在高效太阳电池中，双面TOPCon结构具有显著优势。它可应用于电池正面和背面，实现双面发电，提升组件输出功率。其高钝化质量使电池开路电压大幅提高，实验室效率已达26%以上。此外，该结构兼容现有PERC产线，工艺温度低，适合大规模生产。TOPCon电池量产效率普遍超过24%，且双面率可达85%，在分布式光伏和双面组件市场中应用广泛，成为下一代高效电池技术的重要方向。