多晶PERC电池在光伏市场应用广泛，但其对LeTID（光热诱导衰减）较为敏感，表现为高温光照下功率显著下降。研究进展主要聚焦于机理认知和工艺优化。机理上，LeTID被认为与硅片中的氢或金属杂质（如铜、镍）有关，这些杂质在光照和高温下激活形成复合中心。工艺方面，通过调整烧结温度、钝化层材料以及采用先进退火工艺（如低氧气氛或快速热处理），可有效抑制衰减。此外，硅片质量提升（如减少杂质）也至关重要。在测试标准方面，IEC61215系列标准尚未针对LeTID设立专项测试，但业内常用IECTS63202-1（适用于n型硅片）或改良版LeTID测试，即在85°C、0.1–1个太阳光强下持续60–150小时，以评估衰减幅度。部分企业也采用与抗PID类似的加速测试方法。整体上，LeTID控制依赖精细化工艺和材料优化，测试标准仍在完善中。