该研究聚焦于掺杂非晶硅（a-Si:H）沉积过程对异质结（SHJ）太阳电池界面钝化效果的影响。SHJ电池的关键在于非晶硅/晶体硅界面的高质量钝化，以降低载流子复合。研究探讨了沉积参数，如温度、掺杂气体流量、射频功率和沉积速率，对钝化层性能的作用。结果表明，适当降低沉积温度可减少界面损伤，提高钝化效果；掺杂气体浓度需精确控制，过高会导致缺陷增多，过低则影响电导率；射频功率过高可能引起界面损伤，而优化沉积速率有助于形成均匀致密的薄膜。通过调整参数，可降低界面态密度，减少复合电流，从而提升少数载流子寿命和开路电压。该研究为优化SHJ电池工艺、提高转换效率提供了依据，强调了沉积过程控制对界面钝化的重要性。