该研究聚焦于新型氧化硅钝化层的性能及其在半导体器件中的应用。氧化硅（SiO₂）传统上用于硅基器件的表面钝化，但常规制备方法在面对先进结构（如纳米级沟道或高深宽比特征）时存在缺陷密度高、界面态密度大等问题。龚磊的研究提出了一种改进的低温沉积技术或掺杂改性方法（例如引入氟、氮元素或采用原子层沉积工艺），以优化氧化硅膜层的电学特性。主要钝化特性包括：显著降低界面态密度（通常至10¹¹cm⁻²eV⁻¹以下），减少载流子复合中心；提升击穿电场强度，增强绝缘可靠性；同时保持低温工艺兼容性，适用于柔性衬底或温度敏感器件。实验通过电容-电压（C-V）、高频电流-电压（I-V）及准静态测试验证了薄膜质量的改善，并结合X射线光电子能谱（XPS）、透射电子显微镜（TEM）分析膜层化学结构与微观均匀性。结果表明，新型氧化硅钝化层能有效抑制硅表面的费米能级钉扎效应，提高少数载流子寿命，对提升MOSFET迁移率及太阳能电池光电转换效率具有实际应用价值。该工作为下一代高集成度、低功耗半导体器件的介电钝化方案提供了新思路。