本研究针对小面积硅太阳能电池，探索单面氧化硅腐蚀工艺的优化方法，旨在提升电池效率并降低制造成本。氧化硅层在太阳能电池中常作为钝化层或掩膜层，单面腐蚀技术能精准去除特定区域的氧化硅，避免双面腐蚀对非目标区域造成损伤。实验中，采用湿法腐蚀工艺，以氢氟酸（HF）为基础溶液，通过调整浓度、温度和时间等参数，控制腐蚀速率和选择性。研究重点包括：保护背面氧化硅层的掩膜技术（如使用光刻胶或蜡），以及腐蚀液配比对表面均匀性和粗糙度的影响。结果表明，在稀HF溶液（5-10%）和室温条件下，配合适当掩膜，可实现腐蚀速率约0.1-0.3nm/s，并保持背面氧化硅完整。腐蚀后的硅表面粗糙度低，有利于后续金属接触形成，减少载流子复合。优化后的单面腐蚀工艺在小面积电池（约1cm²）上应用，开路电压提升5-8%，填充因子改善约3%。该工艺简单易行，适用于实验室及小规模生产，为高效低成本的硅太阳能电池制造提供了参考。研究强调，精确控制腐蚀深度和均匀性是关键，未来可结合自动化设备进一步优化。