本研究针对基于MEMS技术的4H-SiC压力传感器工艺开展深入探索，重点解决高温高压环境下传统硅基传感器性能受限的问题。通过优化SiC材料的刻蚀工艺、电极制备及封装技术，提升传感器在恶劣环境下的稳定性和可靠性。研究内容包括SiC晶圆的选择与处理、微纳加工工艺参数优化、传感器结构设计以及性能测试等方面，旨在开发出适用于航空航天、能源化工等极端环境的高性能压力传感器。