在高压工艺和MM模式下的ESD防护设计中，关键挑战在于如何平衡高压器件的耐压能力与ESD防护结构的有效性。高压工艺通常采用较厚的栅氧层和特殊的掺杂分布，这可能导致传统ESD防护结构（如GGNMOS或SCR）的触发电压升高，从而降低防护性能。针对MM（机器模型）测试模式，其特点是快速上升时间和较高的峰值电流，这对ESD防护设计提出了更严格的动态响应要求。本研究通过优化器件布局、引入新型触发辅助电路以及改进电流泄放路径，有效提升了高压工艺下ESD防护结构的MM模式鲁棒性，同时确保其与高压工艺的兼容性。