X射线吸收近边结构（XANES）谱是一种用于研究材料电子结构和局部几何构型的强大分析技术。它通过测量材料在吸收边附近的X射线吸收系数变化，提供有关元素的氧化态、配位环境和轨道占据等信息。XANES谱通常出现在吸收边附近约50eV范围内，包含丰富的电子跃迁和多重散射特征。基础分析包括：1.边前区域（Pre-edge）：反映禁戒跃迁和电子态密度2.吸收边位置（Edgeposition）：指示元素的氧化态3.白线强度（Whiteline）：与未占据态密度相关4.近边振荡结构：包含配位数和对称性信息XANES分析需要结合标准样品和理论计算，广泛应用于催化、材料科学、环境化学和生物无机化学等领域。该技术对样品制备要求较低，适用于各种物态（固体、液体、气体）的研究。
