吸收边（AbsorptionEdge）是材料在X射线或紫外光等电磁辐射照射下，其吸收系数随光子能量变化而出现的突变特征。当入射光子的能量达到某一阈值（即吸收边能量）时，足以激发材料中特定内层电子（如K层、L层电子）跃迁到未占据的能级或连续态，导致吸收系数突然增大。吸收边的位置和形状与材料的元素种类、化学态及局部结构密切相关，因此在X射线吸收光谱（XAS）、X射线近边结构（XANES）等分析技术中，吸收边被广泛用于研究材料的电子结构、元素价态和配位环境。例如，K吸收边对应1s电子的电离能，而L3边涉及2p3/2电子的跃迁。通过精确测量吸收边能量偏移（化学位移），可推断元素氧化态或化学键变化。
