InGaAs铟钾砷光电探测器是一种高性能的光电探测器件，由铟（In）、镓（Ga）和砷（As）三种元素组成的化合物半导体材料制成。该探测器具有宽光谱响应范围，通常在900nm至1700nm的近红外波段表现出优异的灵敏度，因此在光纤通信、激光雷达、光谱分析和军事夜视等领域有广泛应用。InGaAs光电探测器的主要特点包括高响应速度、低暗电流和高探测效率，能够满足高速光信号检测的需求。其结构通常采用PIN或APD（雪崩光电二极管）设计，可根据不同应用场景选择合适的工作模式。该探测器在室温下工作稳定，且随着材料生长和器件工艺的进步，其性能参数如量子效率、响应带宽等不断提升，已成为近红外探测领域的重要器件之一。
