PE-TEOS（等离子体增强-正硅酸乙酯）工艺是一种用于制备二氧化硅薄膜的先进技术，广泛应用于半导体制造和微电子领域。该工艺通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，利用正硅酸乙酯（TEOS）作为前驱体，在低温条件下实现高质量二氧化硅薄膜的沉积。PE-TEOS工艺的主要优势包括良好的台阶覆盖性、均匀的薄膜厚度、较低的沉积温度（通常在300-400°C范围内），以及与集成电路工艺的良好兼容性。该工艺适用于绝缘层、钝化层、介质层等多种应用场景。关键设备包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，该系统通常由反应腔室、射频电源、气体输送系统、温控系统和真空系统组成。通过精确控制工艺参数（如射频功率、气体流量、压力和温度），可以优化薄膜的介电性能、机械性能和表面形貌。PE-TEOS工艺因其高效性和可靠性，已成为现代半导体制造中二氧化硅薄膜沉积的重要方法之一。
