GeAPD和InGaAs/InGaAsP/InPSAGMAPD是两种常见的光电探测器，它们在暗电流温度特性方面表现出不同的行为。GeAPD由于其材料特性，在较高温度下暗电流显著增加，这限制了其在高温环境中的应用。相比之下，InGaAs/InGaAsP/InPSAGMAPD采用了更复杂的结构设计，有效降低了暗电流，尤其在高温环境下表现出更优越的性能。通过比较这两种APD的暗电流温度特性，可以更好地理解它们在各种应用场景中的适用性，并为特定需求选择合适的光电探测器提供参考依据。