平均键能方法是一种用于计算Schottky势垒高度的理论方法，主要基于半导体材料的化学键特性进行分析。该方法通过计算半导体中平均键能的变化来预测金属-半导体界面的势垒高度。其核心思想是，半导体表面的化学键能与金属接触后形成的界面态密切相关，从而影响势垒的形成。在具体计算中，平均键能方法通常考虑半导体的体相键能、表面重构效应以及金属功函数的影响。通过建立键能与势垒高度之间的经验关系，可以估算出不同金属-半导体组合的Schottky势垒值。这种方法在解释和预测势垒高度时具有直观的物理意义，尤其适用于共价键较强的半导体材料（如Si、Ge等）。尽管平均键能方法在理论上较为简化，但它为理解Schottky接触的物理机制提供了重要参考，并在实验数据拟合和材料筛选方面显示出实用价值。