ISSG（InSituSteamGeneration）是一种先进的栅氧化层制备技术，通过原位生成高纯水蒸气，在硅片表面形成高质量氧化层。该工艺能有效减少传统湿氧氧化中的杂质污染，提升氧化层均匀性和界面特性。氮化工艺在ISSG基础上进一步优化，通过引入氮元素钝化界面缺陷，降低界面态密度，增强栅氧化层的可靠性和抗硼穿透能力。两者的结合显著改善了器件性能，包括更低的漏电流、更高的介电强度和更好的热稳定性，为先进半导体制造提供了关键工艺支持。