高kHfO2栅介质淀积后退火工艺研究是针对现代半导体器件中高介电常数（高k）材料应用的关键技术之一。随着集成电路特征尺寸的不断缩小，传统的SiO2栅介质已无法满足器件性能需求，HfO2因其较高的介电常数和良好的热稳定性成为替代材料。然而，HfO2薄膜在淀积后通常存在缺陷和界面态，影响器件可靠性和电学性能。退火工艺作为改善薄膜质量和界面特性的重要手段，通过优化退火温度、时间和气氛等参数，可以有效减少缺陷密度、改善晶体结构并增强界面稳定性。本研究旨在系统探讨不同退火条件对HfO2栅介质性能的影响，为高性能半导体器件的制备提供工艺优化依据，对推动先进集成电路技术的发展具有重要意义。