轴向双分裂变压器是一种特殊结构的变压器，主要用于需要高短路阻抗和低电压调整率的场合。其电场计算和漏磁计算是设计和优化过程中的关键环节。在电场计算方面，轴向双分裂变压器的绕组结构复杂，通常包含高压绕组、低压绕组以及分裂绕组。电场分布的分析需要考虑绕组间的绝缘设计、电位分布以及局部放电风险。通过有限元方法或解析计算，可以评估绝缘系统的可靠性，确保变压器在额定电压和过电压条件下的安全运行。漏磁计算则关注变压器绕组的漏磁场分布及其对短路阻抗、涡流损耗和机械力的影响。轴向双分裂结构导致漏磁路径复杂，可能产生较大的横向漏磁分量。通过磁场仿真或等效电路法，可以计算漏电感、涡流损耗以及绕组受力情况，为结构设计和温升控制提供依据。综合电场和漏磁计算的结果，可以优化轴向双分裂变压器的绝缘设计、绕组布置和磁屏蔽措施，从而提高其电气性能和可靠性。