Geant4模拟半导体器件的单粒子效应简介Geant4是一款基于蒙特卡罗方法的粒子输运模拟工具包，广泛应用于高能物理、核物理、空间辐射效应等领域。在半导体器件单粒子效应（SEE）研究中，Geant4能够模拟高能粒子（如质子、中子、重离子等）与半导体材料的相互作用，包括能量沉积、电荷收集以及由此引发的单粒子翻转（SEU）、单粒子闩锁（SEL）等效应。通过Geant4模拟，可以分析不同粒子类型、能量及入射角度对半导体器件的影响，为抗辐射加固设计提供理论依据。该模拟方法结合器件物理模型（如TCAD），能够更准确地预测辐射环境下的器件可靠性，对航天电子、核工业等领域的辐射防护具有重要意义。关键词：Geant4、单粒子效应、半导体器件、辐射模拟、蒙特卡罗方法
