AO3400A是一款P沟道增强型MOSFET，由Alpha&OmegaSemiconductor公司生产。它采用先进的沟槽技术设计，具有低导通电阻和高开关性能。主要参数包括30V的漏源电压（VDS）、-4.3A的连续漏极电流（ID）以及典型导通电阻（RDS(on)）为50mΩ（在VGS=-10V时）。该器件采用SOT-23封装，体积小，适用于空间受限的应用场景。AO3400A广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器及电池保护电路等领域，特别适合便携式电子设备和低功耗系统。