氮化硅薄膜是一种广泛应用于微电子、光学和半导体领域的重要材料。其表面组成和折射率是影响薄膜性能的关键参数。热处理作为一种常见的后处理工艺，能够显著改变氮化硅薄膜的微观结构和化学组成，从而影响其光学和电学性质。在热处理前，氮化硅薄膜的表面组成通常包含硅、氮以及可能的氧和氢等杂质，具体比例取决于沉积方法和工艺条件。热处理过程中，高温可能导致薄膜中的氢脱附、硅氮键重组以及氧的进一步扩散或反应，从而改变表面化学状态。这些变化会直接影响薄膜的折射率，进而影响其在光学器件中的性能表现。研究氮化硅薄膜热处理前后的表面组成和折射率变化，有助于优化薄膜的制备工艺，提高其在特定应用中的性能，例如抗反射涂层、钝化层或波导器件等。