反激变换器作为一种常用的隔离型DC-DC变换器，在开关电源设计中具有广泛的应用。然而，在实际工作过程中，MOSFET开通时出现的电流尖峰问题会影响变换器的效率和可靠性，甚至可能导致器件损坏。本研究基于PSIM仿真软件，对反激变换器中MOSFET开通电流尖峰的产生机理进行深入分析，探讨不同电路参数（如变压器漏感、缓冲电路参数、驱动电阻等）对电流尖峰的影响，并提出相应的抑制措施。通过仿真结果验证所提方法的有效性，为反激变换器的优化设计提供理论依据和工程参考。