互补金属氧化物半导体（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，简称CMOS）是一种重要的半导体技术，广泛应用于集成电路（IC）制造。CMOS技术结合了NMOS（N型金属氧化物半导体）和PMOS（P型金属氧化物半导体）两种晶体管，利用它们的互补特性实现低功耗和高性能的电路设计。CMOS的形成方法主要包括以下步骤：1.**衬底准备**：通常使用硅晶圆作为衬底，通过掺杂形成P型或N型区域。2.**氧化层生长**：在衬底表面生长一层二氧化硅（SiO₂）作为绝缘层。3.**光刻与刻蚀**：通过光刻技术定义晶体管结构，并刻蚀掉不需要的部分。4.**离子注入**：分别对NMOS和PMOS区域进行掺杂，形成源极、漏极和沟道。5.**金属化**：沉积金属层（如铝或铜）形成互连导线，连接各个晶体管。6.**钝化与封装**：覆盖保护层并进行封装，完成芯片制造。CMOS技术因其低功耗、高集成度和良好的抗干扰能力，成为现代电子设备（如微处理器、存储器、传感器等）的核心技术。
