闩锁效应（Latch-upEffect）是一种在集成电路（尤其是CMOS技术）中可能发生的破坏性现象。当电路中的寄生PNPN结构被意外触发时，会在电源（VDD）和地（GND）之间形成低阻抗通路，导致大电流通过，可能造成芯片功能异常、性能下降甚至永久损坏。这种现象通常由电压瞬变、辐射或信号干扰等因素引发，是芯片设计中需要重点预防的问题之一。