硅晶圆的晶向偏离度测定是半导体制造过程中的关键质量控制环节，直接影响器件性能和良率。随着集成电路特征尺寸不断缩小，对晶圆晶体取向的精度要求日益严格。传统的X射线衍射法虽然精度高，但存在设备昂贵、测试速度慢等局限性。本研究旨在探索高效、精确的晶向偏离度测定新方法，通过对比分析X射线衍射、电子背散射衍射（EBSD）和激光共聚焦等技术的测量原理与适用性，优化测试方案。重点研究样品制备、测试参数设置和数据处理算法对测量结果的影响，建立标准化的测试流程，为半导体材料表征提供可靠的技术支持。研究成果将有助于提升晶圆生产过程中的质量控制水平，满足先进制程对衬底材料的严苛要求。