SI2300是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，由VishaySiliconix公司生产。它采用紧凑的SOT-23表面贴装封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于低电压应用。该器件的主要参数包括：-最大漏源电压(VDS)：20V-最大栅源电压(VGS)：±8V-连续漏极电流(ID)：1.7A-导通电阻(RDS(on))：典型值85mΩ（VGS=4.5V）-低阈值电压(VGS(th))：1V（典型值）SI2300广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池保护电路等场景。其小型封装和高效性能使其成为便携式电子设备中的理想选择。如需详细规格，请参考官方PDF规格书。
