PSRAM（伪静态随机存取存储器）是一种结合了DRAM和SRAM特性的存储器。它使用DRAM的存储单元结构，但通过内置刷新电路模拟SRAM的接口行为，无需外部刷新控制。这使得PSRAM在成本上接近DRAM，同时具备类似SRAM的易用性。PSRAM的主要特点包括：1.比SRAM更高的密度和更低成本2.比DRAM更简单的接口，无需外部刷新电路3.通常用于嵌入式系统、物联网设备等对成本和功耗敏感的应用4.访问速度介于DRAM和SRAM之间常见容量从4Mb到256Mb，广泛应用于手机、GPS、打印机等设备中作为缓存或主存使用。