SiC MOSFET功率模块局部放电试验方法 (T/CASAS 061-2026) 团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人：王亚林、祝曦、樊嘉杰、杨霏、田鸿昌、滕乐天、陈哲、周行星、尹毅、方志、赵爽、王雅妮、姚周飞、汪剑文、李学宝、何东欣、崔潆心、张站旗、许洪华、延巧娜、左元慧、李世丹、庄建军、管秀晗、高伟
起草单位：上海交通大学、南京工业大学、复旦大学、中国电力科学研究院有限公司、中国电气装备集团科学技术研究院有限公司、上海电力大学、华北电力大学、怀柔实验室、华东电力试验研究院有限公司、小米汽车科技有限公司、合肥工业大学、山东大学、复旦大学宁波研究院、上海林众电子科技有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、国网江苏省电力有限公司南京供电分公司、南京电力设计研究院有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
内容简要 本文件针对SiC MOSFET功率模块在方波脉冲电压下的局部放电试验，制定了系统的技术规范。其核心内容涵盖仪器设备配置、样品制备方法和试验步骤，明确规定了方波脉冲发生装置的参数…