碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏(DGS)试验方法 (T/CASAS 045-2025) 团体名称为北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
主要起草人：孙博韬、樊嘉杰、张清纯、刘盼、侯欣蓝、李世丹、项载满、雷光寅、陈媛、毛赛君、李汝冠、左元慧、张俊然、李钾、冯海科、汤益丹、谢峰、刘志强、宋鑫宇、刘惠鹏、袁琰、王民、张海涛、庄建军、史文华、张园览、刘鹏飞、罗润鼎、乔良、万玉喜、陈刚、袁俊、吴畅、王来利、杨奉涛、刘宗亮、李本亮、徐瑞鹏。
起草单位：清纯半导体（宁波）有限公司、复旦大学宁波研究院、复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、东风汽车集团有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、深圳禾望电气股份有限公司、一汽旗新动力(长春)科技有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、宁波达新半导体有限公司、智新半导体有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、上海维安电子股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、中国电力科学研究院有限公司、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、西安交通大学、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
适用范围：本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏（DGS）试验方法。本文件适用于对SiC MOSFET分立器件和功率模块评估交流栅极应力下栅氧质量。
内容简要 碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有击穿电压高、导通电流大、开关速度快、功率损耗小、高温稳定性好等优点，被认为是最具前景的半导体器件之一，它具有能够…