碳化硅器件功率循环试验方法 (T/IAWBS 025-2025) 团体名称为中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
主要起草人：张瑾，邹欣宇，王智强，傅金源，郭兴华，刘祎晨
起草单位：中国科学院电工研究所、华中科技大学、浙江芯丰科技有限公司、 华侨大学、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混合封装器件的测试。
内容简要 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiCMOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤。…