辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 (T/CIE 145-2022) 为中国电子学会发布。
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。
简介
辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 (T/CIE 145-2022) 为中国电子学会发布。
本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。